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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCP099N60E
FCP099N60E Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCP099N60E - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCP099N60E
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCP099N60E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
FCP099N60E.pdf
État RoHS
En stock: 13048

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCP099N60E
onsemi - FCP099N60E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCP099N60E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 18.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 357W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3465 pF @ 380 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 37A (Tc)  
Numéro de produit de base FCP099  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCP099N60E

Attributs du produit FCP099N60E FCP11N60F FCP125N60E FCP067N65S3
Modèle de produit FCP099N60E FCP11N60F FCP125N60E FCP067N65S3
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3465 pF @ 380 V 1490 pF @ 25 V 2990 pF @ 380 V 3090 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 18.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 125mOhm @ 14.5A, 10V 67mOhm @ 22A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 4.4mA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 37A (Tc) 11A (Tc) 29A (Tc) 44A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
Numéro de produit de base FCP099 FCP11 FCP125 FCP067
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries SuperFET® II SuperFET™ SuperFET® II SuperFET® III
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 357W (Tc) 125W (Tc) 278W (Tc) 312W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 650 V

Fiche technique FCP099N60E PDF

Téléchargez FCP099N60E PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCP099N60E - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf RJA 06/Jul/2016.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly/Mat Chg 16/Jan/2020.pdf
Feuilles de données
FCP099N60E.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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