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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCP11N60N
FCP11N60N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCP11N60N - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCP11N60N
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCP11N60N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FCP11N60N, FCPF11N60NT.pdf
État RoHS
En stock: 4070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCP11N60N
onsemi - FCP11N60N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCP11N60N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries SupreMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 5.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 94W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1505 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35.6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.8A (Tc)  
Numéro de produit de base FCP11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCP11N60N

Attributs du produit FCP11N60N FCP125N60E FCP104N60F FCP104N60
Modèle de produit FCP11N60N FCP125N60E FCP104N60F FCP104N60
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Séries SupreMOS™ SuperFET® II HiPerFET™, Polar™ SuperFET® II
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 35.6 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V
Emballer Tube Bulk Tube Bulk
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10.8A (Tc) 29A (Tc) 37A (Tc) 37A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Numéro de produit de base FCP11 FCP125 FCP104 -
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1505 pF @ 100 V 2990 pF @ 380 V 6130 pF @ 25 V 4165 pF @ 380 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299mOhm @ 5.4A, 10V 125mOhm @ 14.5A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 94W (Tc) 278W (Tc) 357W (Tc) 357W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

Fiche technique FCP11N60N PDF

Téléchargez FCP11N60N PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCP11N60N - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FCP11N60N, FCPF11N60NT.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 29/Mar/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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