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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCP067N65S3
FCP067N65S3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCP067N65S3 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCP067N65S3
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCP067N65S3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 44A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
FCP067N65S3 Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 7991

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCP067N65S3
onsemi - FCP067N65S3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCP067N65S3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4.4mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 312W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3090 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc)  
Numéro de produit de base FCP067  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCP067N65S3

Attributs du produit FCP067N65S3 FCP104N60 FCP099N65S3 FCP104N60F
Modèle de produit FCP067N65S3 FCP104N60 FCP099N65S3 FCP104N60F
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 312W (Tc) 357W (Tc) 227W (Tc) 357W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4.4mA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 3mA 5V @ 250µA
Numéro de produit de base FCP067 FCP104 FCP099 FCP104
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3090 pF @ 400 V 4165 pF @ 380 V 2480 pF @ 400 V 6130 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 650 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 67mOhm @ 22A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V 99mOhm @ 15A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries SuperFET® III SuperFET® II SuperFET® III HiPerFET™, Polar™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc) 37A (Tc) 30A (Tc) 37A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique FCP067N65S3 PDF

Téléchargez FCP067N65S3 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCP067N65S3 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Conception / spécification PCN
SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf FCB0 19/Jul/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Change 09/May/2023.pdf
Feuilles de données
FCP067N65S3 Datasheet.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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