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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCP110N65F
FCP110N65F Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCP110N65F - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCP110N65F
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCP110N65F
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
FCP110N65F.pdf
État RoHS
En stock: 12083

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCP110N65F
onsemi - FCP110N65F Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCP110N65F

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 3.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries FRFET®, SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 17.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 357W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4895 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc)  
Numéro de produit de base FCP110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCP110N65F

Attributs du produit FCP110N65F FCP099N60E FCP067N65S3 FCP104N60
Modèle de produit FCP110N65F FCP099N60E FCP067N65S3 FCP104N60
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Emballer Tube Bulk Tube Bulk
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4895 pF @ 100 V 3465 pF @ 380 V 3090 pF @ 400 V 4165 pF @ 380 V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
Numéro de produit de base FCP110 - FCP067 -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Dissipation de puissance (max) 357W (Tc) 357W (Tc) 312W (Tc) 357W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 35A (Tc) 37A (Tc) 44A (Tc) 37A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 145 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 17.5A, 10V 99mOhm @ 18.5A, 10V 67mOhm @ 22A, 10V 104mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 3.5mA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 4.4mA 3.5V @ 250µA
Séries FRFET®, SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® III SuperFET® II
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 650 V 600 V

Fiche technique FCP110N65F PDF

Téléchargez FCP110N65F PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCP110N65F - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly/Mat Chg 16/Jan/2020.pdf
Feuilles de données
FCP110N65F.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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