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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCH060N80-F155
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCH060N80-F155 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCH060N80-F155
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCH060N80-F155
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 56A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
FCH060N80.pdf
État RoHS
En stock: 3856

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCH060N80-F155
onsemi - FCH060N80-F155 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCH060N80-F155

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 5.8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 29A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 14685 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 350 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 56A (Tc)  
Numéro de produit de base FCH060  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCH060N80-F155

Attributs du produit FCH060N80-F155 FCH043N60 FCH072N60 FCH072N60
Modèle de produit FCH060N80-F155 FCH043N60 FCH072N60 FCH072N60
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Séries SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II
Numéro de produit de base FCH060 FCH043 - FCH072
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 350 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 14685 pF @ 100 V 12225 pF @ 400 V 5890 pF @ 380 V 5890 pF @ 380 V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 5.8mA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Dissipation de puissance (max) 500W (Tc) 592W (Tc) 481W (Tc) 481W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 800 V 600 V 600 V 600 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 56A (Tc) 75A (Tc) 52A (Tc) 52A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 29A, 10V 43mOhm @ 38A, 10V 72mOhm @ 26A, 10V 72mOhm @ 26A, 10V

Fiche technique FCH060N80-F155 PDF

Téléchargez FCH060N80-F155 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCH060N80-F155 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Numéro de pièce PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Source Add 5/Aug/2022.pdf
Feuilles de données
FCH060N80.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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