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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCH072N60F-F085
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCH072N60F-F085 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCH072N60F-F085
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCH072N60F-F085
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
FCH072N60F-F085.pdf
État RoHS
En stock: 4010

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCH072N60F-F085
onsemi - FCH072N60F-F085 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCH072N60F-F085

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 26A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 481W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6330 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 52A (Tc)  
Numéro de produit de base FCH072  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCH072N60F-F085

Attributs du produit FCH072N60F-F085 FCH085N80-F155 FCH077N65F-F085 FCH060N80-F155
Modèle de produit FCH072N60F-F085 FCH085N80-F155 FCH077N65F-F085 FCH060N80-F155
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 4.6mA 5V @ 250µA 4.5V @ 5.8mA
Numéro de produit de base FCH072 FCH085 - FCH060
Dissipation de puissance (max) 481W (Tc) 446W (Tc) 481W (Tc) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 26A, 10V 85mOhm @ 23A, 10V 77mOhm @ 27A, 10V 60mOhm @ 29A, 10V
Séries Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II SuperFET® II Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II SuperFET® II
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6330 pF @ 100 V 10825 pF @ 100 V 7162 pF @ 25 V 14685 pF @ 100 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 52A (Tc) 46A (Tc) 54A (Tc) 56A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 255 nC @ 10 V 164 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247 TO-247-3
Tension drain-source (Vdss) 600 V 800 V 650 V 800 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique FCH072N60F-F085 PDF

Téléchargez FCH072N60F-F085 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCH072N60F-F085 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Mult Dev Datasheet Chg 20/Dec/2019.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 25/Jun/2021.pdf
Numéro de pièce PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 06/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
FCH072N60F-F085.pdf
Assemblage / origine PCN
Mold compound change 14/Jun/2019.pdf

Mode de transport

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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