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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCH043N60
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCH043N60 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCH043N60
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCH043N60
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 75A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
FCH043N60.pdf
État RoHS
En stock: 2714

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCH043N60
onsemi - FCH043N60 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCH043N60

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 38A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 592W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12225 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc)  
Numéro de produit de base FCH043  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCH043N60

Attributs du produit FCH043N60 FCH067N65S3-F155 FCH060N80-F155 FCH041N65F-F155
Modèle de produit FCH043N60 FCH067N65S3-F155 FCH060N80-F155 FCH041N65F-F155
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base FCH043 - FCH060 FCH041
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12225 pF @ 400 V 3090 pF @ 400 V 14685 pF @ 100 V 13020 pF @ 100 V
Séries SuperFET® II SuperFET® III SuperFET® II FRFET®, SuperFET® II
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 75A (Tc) 44A (Tc) 56A (Tc) 76A (Tc)
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 38A, 10V 67mOhm @ 22A, 10V 60mOhm @ 29A, 10V 41mOhm @ 38A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 592W (Tc) 312W (Tc) 500W (Tc) 595W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 215 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 350 nC @ 10 V 294 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 650 V 800 V 650 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 4.5V @ 4.4mA 4.5V @ 5.8mA 5V @ 7.6mA

Fiche technique FCH043N60 PDF

Téléchargez FCH043N60 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCH043N60 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 29/Mar/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Mold Compound Change 17/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
FCH043N60.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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