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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCH041N65EFLN4
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCH041N65EFLN4 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCH041N65EFLN4
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCH041N65EFLN4
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Description détaillée
Emballage
TO-247-4
Fiche technique
FCH041N65EFLN4.pdf
État RoHS
En stock: 5490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCH041N65EFLN4
onsemi - FCH041N65EFLN4 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCH041N65EFLN4

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 7.6mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-4  
Séries FRFET®, SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 38A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 595W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-4  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12560 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 298 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 76A (Tc)  
Numéro de produit de base FCH041  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCH041N65EFLN4

Attributs du produit FCH041N65EFLN4 FCH041N60E FCH043N60 FCH041N60E
Modèle de produit FCH041N65EFLN4 FCH041N60E FCH043N60 FCH041N60E
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 38A, 10V 41mOhm @ 39A, 10V 43mOhm @ 38A, 10V 41mOhm @ 39A, 10V
Dissipation de puissance (max) 595W (Tc) 592W (Tc) 592W (Tc) 592W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 76A (Tc) 77A (Tc) 75A (Tc) 77A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 600 V 600 V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 7.6mA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Séries FRFET®, SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12560 pF @ 100 V 13700 pF @ 100 V 12225 pF @ 400 V 13700 pF @ 100 V
Package composant fournisseur TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base FCH041 FCH041 FCH043 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 298 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 215 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-247-4 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique FCH041N65EFLN4 PDF

Téléchargez FCH041N65EFLN4 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCH041N65EFLN4 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly/DS Chg 6/Jan/2019.pdf
Feuilles de données
FCH041N65EFLN4.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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