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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCH040N65S3-F155
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCH040N65S3-F155 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCH040N65S3-F155
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCH040N65S3-F155
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
FCH040N65S3.pdf
État RoHS
En stock: 3436

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCH040N65S3-F155
onsemi - FCH040N65S3-F155 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCH040N65S3-F155

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 6.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 32.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 417W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4740 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 136 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 65A (Tc)  
Numéro de produit de base FCH040  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCH040N65S3-F155

Attributs du produit FCH040N65S3-F155 FCH041N60F-F085 FCH041N60E FCH041N65EFL4
Modèle de produit FCH040N65S3-F155 FCH041N60F-F085 FCH041N60E FCH041N65EFL4
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 600 V 650 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 65A (Tc) 76A (Tc) 77A (Tc) 76A (Tc)
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4740 pF @ 400 V 10900 pF @ 25 V 13700 pF @ 100 V 12560 pF @ 100 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 6.5mA 5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 5V @ 7.6mA
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 32.5A, 10V 41mOhm @ 38A, 10V 41mOhm @ 39A, 10V 41mOhm @ 38A, 10V
Numéro de produit de base FCH040 FCH041 - FCH041
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Dissipation de puissance (max) 417W (Tc) 595W (Tc) 592W (Tc) 595W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries SuperFET® III Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II SuperFET® II FRFET®, SuperFET® II
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 136 nC @ 10 V 347 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 298 nC @ 10 V

Fiche technique FCH040N65S3-F155 PDF

Téléchargez FCH040N65S3-F155 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCH040N65S3-F155 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Numéro de pièce PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
Conception / spécification PCN
Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
FCH040N65S3.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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