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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLU110
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLU110 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRLU110
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRLU110
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110.pdf
En stock: 3790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLU110
Vishay Siliconix - IRLU110 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRLU110

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251AA  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 2.6A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLU110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRLU110

Attributs du produit IRLU110 IRLU024 IRLU110PBF IRLU024PBF
Modèle de produit IRLU110 IRLU024 IRLU110PBF IRLU024PBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±10V ±10V ±10V ±10V
Package composant fournisseur TO-251AA TO-251AA TO-251AA TO-251AA
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 2.6A, 5V 100mOhm @ 8.4A, 5V 540mOhm @ 2.6A, 5V 100mOhm @ 8.4A, 5V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Tc) 14A (Tc) 4.3A (Tc) 14A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base IRLU110 IRLU024 IRLU110 IRLU024
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 100 V 60 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V 4V, 5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V

Fiche technique IRLU110 PDF

Téléchargez IRLU110 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRLU110 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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