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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLU024
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLU024 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRLU024
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRLU024
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRLR024, IRLU024, SiHLR024, SiHLU024.pdf
En stock: 3790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLU024
Vishay Siliconix - IRLU024 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRLU024

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251AA  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLU024  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRLU024

Attributs du produit IRLU024 IRLU014PBF IRLU024N IRLU024ZPBF
Modèle de produit IRLU024 IRLU014PBF IRLU024N IRLU024ZPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 45W (Tc) 35W (Tc)
Séries - - HEXFET® HEXFET®
Package composant fournisseur TO-251AA TO-251AA I-PAK I-PAK
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 55 V 55 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4V, 5V 4V, 10V 4.5V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 9.9 nC @ 5 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numéro de produit de base IRLU024 IRLU014 - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 8.4A, 5V 200mOhm @ 4.6A, 5V 65mOhm @ 10A, 10V 58mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±16V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V 380 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc) 7.7A (Tc) 17A (Tc) 16A (Tc)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

Fiche technique IRLU024 PDF

Téléchargez IRLU024 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRLU024 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRLR024, IRLU024, SiHLR024, SiHLU024.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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