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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLU110ATU
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLU110ATU - onsemi

Fabricant Modèle de produit
IRLU110ATU
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-IRLU110ATU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 4.7A I-PAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRLR/U110A.pdf
En stock: 4160

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLU110ATU
onsemi - IRLU110ATU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - IRLU110ATU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 2.35A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 22W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLU11  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi IRLU110ATU

Attributs du produit IRLU110ATU IRLU024N IRLU110 IRLU120NPBF
Modèle de produit IRLU110ATU IRLU024N IRLU110 IRLU120NPBF
Fabricant onsemi Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 20 nC @ 5 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V 4V, 10V 4V, 5V 4V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base IRLU11 - IRLU110 IRLU120
Vgs (Max) ±20V ±16V ±10V ±16V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur I-PAK I-PAK TO-251AA IPAK (TO-251AA)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 55 V 100 V 100 V
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 2.35A, 5V 65mOhm @ 10A, 10V 540mOhm @ 2.6A, 5V 185mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 22W (Tc) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 48W (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.7A (Tc) 17A (Tc) 4.3A (Tc) 10A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 440 pF @ 25 V
Séries - HEXFET® - HEXFET®
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Fiche technique IRLU110ATU PDF

Téléchargez IRLU110ATU PDF DataSheets et Documentation onsemi pour IRLU110ATU - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
IRLR/U110A.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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