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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRLU110PBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRLU110PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRLU110PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRLU110PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110.pdf
État RoHS
En stock: 72870

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRLU110PBF
Vishay Siliconix - IRLU110PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRLU110PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251AA  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 2.6A, 5V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Tc)  
Numéro de produit de base IRLU110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRLU110PBF

Attributs du produit IRLU110PBF IRLU024PBF IRLU2703PBF IRLU110
Modèle de produit IRLU110PBF IRLU024PBF IRLU2703PBF IRLU110
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±10V ±10V ±16V ±10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - HEXFET® -
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.3A (Tc) 14A (Tc) 23A (Tc) 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 2.6A, 5V 100mOhm @ 8.4A, 5V 45mOhm @ 14A, 10V 540mOhm @ 2.6A, 5V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 45W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Numéro de produit de base IRLU110 IRLU024 - IRLU110
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA 2V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-251AA TO-251AA IPAK (TO-251AA) TO-251AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 15 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 5V 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 30 V 100 V

Fiche technique IRLU110PBF PDF

Téléchargez IRLU110PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRLU110PBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
IRFU/SIH 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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