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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFU120PBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFU120PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFU120PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFU120PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120.pdf
État RoHS
En stock: 79450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFU120PBF
Vishay Siliconix - IRFU120PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFU120PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251AA  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 4.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.7A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFU120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFU120PBF

Attributs du produit IRFU120PBF IRFU13N20DPBF IRFU120NPBF IRFU1N60A
Modèle de produit IRFU120PBF IRFU13N20DPBF IRFU120NPBF IRFU1N60A
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 200 V 100 V 600 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 110W (Tc) 48W (Tc) 36W (Tc)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.7A (Tc) 13A (Tc) 9.4A (Tc) 1.4A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base IRFU120 - IRFU120 IRFU1
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 4.6A, 10V 235mOhm @ 8A, 10V 210mOhm @ 5.6A, 10V 7Ohm @ 840mA, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Package composant fournisseur TO-251AA IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) TO-251AA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Séries - HEXFET® HEXFET® -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 830 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V 229 pF @ 25 V

Fiche technique IRFU120PBF PDF

Téléchargez IRFU120PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFU120PBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
IRFU/SIH 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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