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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFU120ATU
Fairchild Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFU120ATU - Fairchild Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
IRFU120ATU
Fabricant
Fairchild (onsemi)
Allelco Modèle de produit
32D-IRFU120ATU
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRFU120ATU.pdf
État RoHS
En stock: 35230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFU120ATU
Fairchild Semiconductor - IRFU120ATU Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Fairchild Semiconductor - IRFU120ATU

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Fairchild (onsemi)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 32W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.4A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Fairchild Semiconductor IRFU120ATU

Attributs du produit IRFU120ATU IRFU12N25DPBF IRFU110 IRFU120PBF
Modèle de produit IRFU120ATU IRFU12N25DPBF IRFU110 IRFU120PBF
Fabricant Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur I-PAK IPAK (TO-251AA) TO-251AA TO-251AA
Vgs (Max) - ±30V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - HEXFET® - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8.4A (Tc) 14A (Tc) 4.3A (Tc) 7.7A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 4.2A, 10V 260mOhm @ 8.4A, 10V 540mOhm @ 900mA, 10V 270mOhm @ 4.6A, 10V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 250 V 100 V 100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 25 V 810 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 32W (Tc) 144W (Tc) 25W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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