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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFU120
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFU120 - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFU120
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFU120
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120.pdf
En stock: 3810

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFU120
Vishay Siliconix - IRFU120 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFU120

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251AA  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 4.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.7A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFU1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFU120

Attributs du produit IRFU120 IRFU024PBF IRFU1010Z IRFU120ATU
Modèle de produit IRFU120 IRFU024PBF IRFU1010Z IRFU120ATU
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Fairchild Semiconductor
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 4.6A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 7.5mOhm @ 42A, 10V 200mOhm @ 4.2A, 10V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.7A (Tc) 14A (Tc) 42A (Tc) 8.4A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-251AA TO-251AA IPAK (TO-251AA) I-PAK
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 140W (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 55 V 100 V
Numéro de produit de base IRFU1 IRFU024 - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA
Séries - - HEXFET® -

Fiche technique IRFU120 PDF

Téléchargez IRFU120 PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFU120 - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFR120, IRFU120, SiHFR120, SiHFU120.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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