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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFU15N20DPBF
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFU15N20DPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFU15N20DPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFU15N20DPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 200V 17A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRF(R,U)15N20DPbF.pdf
En stock: 4250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFU15N20DPBF
Infineon Technologies - IRFU15N20DPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFU15N20DPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur IPAK (TO-251AA)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFU15N20DPBF

Attributs du produit IRFU15N20DPBF IRFU13N20DPBF IRFU1N60APBF IRFU120NPBF
Modèle de produit IRFU15N20DPBF IRFU13N20DPBF IRFU1N60APBF IRFU120NPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 13A (Tc) 1.4A (Tc) 9.4A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 200 V 200 V 600 V 100 V
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc) 110W (Tc) 36W (Tc) 48W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 25 V 830 pF @ 25 V 229 pF @ 25 V 330 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA) TO-251AA IPAK (TO-251AA)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 10A, 10V 235mOhm @ 8A, 10V 7Ohm @ 840mA, 10V 210mOhm @ 5.6A, 10V

Fiche technique IRFU15N20DPBF PDF

Téléchargez IRFU15N20DPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFU15N20DPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 19/Jun/2012.pdf
Feuilles de données
IRF(R,U)15N20DPbF.pdf
Assemblage / origine PCN
IPak Product Assembly Site Add 19/Apr/2016.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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