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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFU1010Z
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFU1010Z - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFU1010Z
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFU1010Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
IRFU1010Z.pdf
En stock: 4790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFU1010Z
Infineon Technologies - IRFU1010Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFU1010Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur IPAK (TO-251AA)  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 42A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFU1010Z

Attributs du produit IRFU1010Z IRFU110 IRFU024NPBF IRFU1010ZPBF
Modèle de produit IRFU1010Z IRFU110 IRFU024NPBF IRFU1010ZPBF
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies International Rectifier
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension drain-source (Vdss) 55 V 100 V 55 V 55 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Séries HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 42A (Tc) 4.3A (Tc) 17A (Tc) 42A (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur IPAK (TO-251AA) TO-251AA IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 140W (Tc) 25W (Tc) 45W (Tc) 140W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 42A, 10V 540mOhm @ 900mA, 10V 75mOhm @ 10A, 10V 7.5mOhm @ 42A, 10V
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA

Fiche technique IRFU1010Z PDF

Téléchargez IRFU1010Z PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFU1010Z - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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