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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFPG30PBF
IRFPG30PBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFPG30PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFPG30PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFPG30PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
IRFPG30.pdf
État RoHS
En stock: 19056

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFPG30PBF
Vishay Siliconix - IRFPG30PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFPG30PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247AC  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1.9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1000 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFPG30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFPG30PBF

Attributs du produit IRFPG30PBF IRFPG50PBF IRFPF50PBF IRFPG50
Modèle de produit IRFPG30PBF IRFPG50PBF IRFPF50PBF IRFPG50
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension drain-source (Vdss) 1000 V 1000 V 900 V 1000 V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc) 190W (Tc) 190W (Tc) 190W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 1.9A, 10V 2Ohm @ 3.6A, 10V 1.6Ohm @ 4A, 10V 2Ohm @ 3.6A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A (Tc) 6.1A (Tc) 6.7A (Tc) 6.1A (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V
Numéro de produit de base IRFPG30 IRFPG50 IRFPF50 IRFPG50
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique IRFPG30PBF PDF

Téléchargez IRFPG30PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFPG30PBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020.pdf
Emballage PCN
Packing Tube Design 19/Sep/2019.pdf
Feuilles de données
IRFPG30.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFPG30PBF

Vishay Siliconix
32D-IRFPG30PBF

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