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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFIZ48GPBF
IRFIZ48GPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFIZ48GPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFIZ48GPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFIZ48GPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 37A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRFIZ48G.pdf
État RoHS
En stock: 32123

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFIZ48GPBF
Vishay Siliconix - IRFIZ48GPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFIZ48GPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 37A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFIZ48  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFIZ48GPBF

Attributs du produit IRFIZ48GPBF IRFIZ48VPBF IRFIZ44NPBF IRFIZ44GPBF
Modèle de produit IRFIZ48GPBF IRFIZ48VPBF IRFIZ44NPBF IRFIZ44GPBF
Fabricant Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Numéro de produit de base IRFIZ48 - IRFIZ44 IRFIZ44
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Séries - HEXFET® HEXFET® -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V 1985 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 22A, 10V 12mOhm @ 43A, 10V 24mOhm @ 17A, 10V 28mOhm @ 18A, 10V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) 43W (Tc) 45W (Tc) 48W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 55 V 60 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 37A (Tc) 39A (Tc) 31A (Tc) 30A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique IRFIZ48GPBF PDF

Téléchargez IRFIZ48GPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFIZ48GPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Feuilles de données
IRFIZ48G.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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