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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFIZ48N
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFIZ48N - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFIZ48N
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFIZ48N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 36A TO220AB FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IRFIZ48N.pdf
En stock: 3930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFIZ48N
Infineon Technologies - IRFIZ48N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFIZ48N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-FP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFIZ48N

Attributs du produit IRFIZ48N IRFIZ46NPBF IRFIZ48G IRFIZ48NPBF
Modèle de produit IRFIZ48N IRFIZ46NPBF IRFIZ48G IRFIZ48NPBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix International Rectifier
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 89 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 55 V 55 V 60 V 55 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 36A (Tc) 33A (Tc) 37A (Tc) 40A (Tc)
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 22A, 10V 20mOhm @ 19A, 10V 18mOhm @ 22A, 10V 16mOhm @ 22A, 10V
Package composant fournisseur PG-TO220-FP TO-220AB Full-Pak TO-220-3 TO-220AB Full-Pak
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 42W (Tc) 45W (Tc) 50W (Tc) 54W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack

Fiche technique IRFIZ48N PDF

Téléchargez IRFIZ48N PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFIZ48N - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
HiRel EOL 28/Jun/2015.pdf EOL122B 02/Oct/2007.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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