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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFIZ48VPBF
IRFIZ48VPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFIZ48VPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFIZ48VPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFIZ48VPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 39A TO220AB FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IRFIZ48VPbF.pdf
En stock: 4330

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFIZ48VPBF
Infineon Technologies - IRFIZ48VPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFIZ48VPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 43A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1985 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 39A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFIZ48VPBF

Attributs du produit IRFIZ48VPBF IRFIZ46NPBF IRFIZ48NPBF IRFIZ48N
Modèle de produit IRFIZ48VPBF IRFIZ46NPBF IRFIZ48NPBF IRFIZ48N
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc) 45W (Tc) 54W (Tc) 42W (Tc)
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 39A (Tc) 33A (Tc) 40A (Tc) 36A (Tc)
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1985 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 55 V 55 V 55 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 43A, 10V 20mOhm @ 19A, 10V 16mOhm @ 22A, 10V 16mOhm @ 22A, 10V
Séries HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

Fiche technique IRFIZ48VPBF PDF

Téléchargez IRFIZ48VPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFIZ48VPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
Feuilles de données
IRFIZ48VPbF.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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