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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFIZ44NPBF
IRFIZ44NPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFIZ44NPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFIZ44NPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFIZ44NPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 55V 31A TO220AB FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IRFIZ44NPBF.pdf
État RoHS
En stock: 40980

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFIZ44NPBF
Infineon Technologies - IRFIZ44NPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFIZ44NPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 17A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 55 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFIZ44  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFIZ44NPBF

Attributs du produit IRFIZ44NPBF IRFIZ44GPBF IRFIZ46N IRFIZ48GPBF
Modèle de produit IRFIZ44NPBF IRFIZ44GPBF IRFIZ46N IRFIZ48GPBF
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Séries HEXFET® - HEXFET® -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 17A, 10V 28mOhm @ 18A, 10V 20mOhm @ 19A, 10V 18mOhm @ 22A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 55 V 60 V 55 V 60 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V 1500 pF @ 25 V 2400 pF @ 25 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 31A (Tc) 30A (Tc) 33A (Tc) 37A (Tc)
Numéro de produit de base IRFIZ44 IRFIZ44 - IRFIZ48
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) 48W (Tc) 45W (Tc) 50W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak TO-220-3 PG-TO220-FP TO-220-3

Fiche technique IRFIZ44NPBF PDF

Téléchargez IRFIZ44NPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFIZ44NPBF - Infineon Technologies.

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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