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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFIBF30GPBF
IRFIBF30GPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFIBF30GPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFIBF30GPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFIBF30GPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRFIBF30G.pdf
État RoHS
En stock: 23718

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFIBF30GPBF
Vishay Siliconix - IRFIBF30GPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFIBF30GPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 1.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 900 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.9A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFIBF30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFIBF30GPBF

Attributs du produit IRFIBF30GPBF IRFIBF20GPBF IRFIZ24G IRFIBE20GPBF
Modèle de produit IRFIBF30GPBF IRFIBF20GPBF IRFIZ24G IRFIBE20GPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 900 V 900 V 60 V 800 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.9A (Tc) 1.2A (Tc) 14A (Tc) 1.4A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc) 30W (Tc) 37W (Tc) 30W (Tc)
Numéro de produit de base IRFIBF30 IRFIBF20 IRFIZ24 IRFIBE20
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 1.1A, 10V 8Ohm @ 720mA, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 6.5Ohm @ 840mA, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique IRFIBF30GPBF PDF

Téléchargez IRFIBF30GPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFIBF30GPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Feuilles de données
IRFIBF30G.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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