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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFIBE30G
IRFIBE30G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFIBE30G - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFIBE30G
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFIBE30G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRFIBE30G.pdf
En stock: 4450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFIBE30G
Vishay Siliconix - IRFIBE30G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFIBE30G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.1A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFIBE30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFIBE30G

Attributs du produit IRFIBE30G IRFIBE30GPBF IRFIZ24GPBF IRFIBF30GPBF
Modèle de produit IRFIBE30G IRFIBE30GPBF IRFIZ24GPBF IRFIBF30GPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.1A (Tc) 2.1A (Tc) 14A (Tc) 1.9A (Tc)
Numéro de produit de base IRFIBE30 IRFIBE30 IRFIZ24 IRFIBF30
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 800 V 800 V 60 V 900 V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc) 35W (Tc) 37W (Tc) 35W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Séries - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.3A, 10V 3Ohm @ 1.3A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 3.7Ohm @ 1.1A, 10V

Fiche technique IRFIBE30G PDF

Téléchargez IRFIBE30G PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFIBE30G - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFIBE30G.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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