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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFIZ34E
Infineon Technologies
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFIZ34E - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFIZ34E
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFIZ34E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 21A TO220AB FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IRFIZ34E.pdf
En stock: 4730

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFIZ34E
Infineon Technologies - IRFIZ34E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFIZ34E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PG-TO220-FP  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 37W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFIZ34E

Attributs du produit IRFIZ34E IRFIZ34G IRFIZ24EPBF IRFIBF30G
Modèle de produit IRFIZ34E IRFIZ34G IRFIZ24EPBF IRFIBF30G
Fabricant Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 37W (Tc) 42W (Tc) 29W (Tc) 35W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 900 V
Séries HEXFET® - HEXFET® -
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package composant fournisseur PG-TO220-FP TO-220-3 TO-220AB Full-Pak TO-220-3
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 11A, 10V 50mOhm @ 12A, 10V 71mOhm @ 7.8A, 10V 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 21A (Tc) 20A (Tc) 14A (Tc) 1.9A (Tc)

Fiche technique IRFIZ34E PDF

Téléchargez IRFIZ34E PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFIZ34E - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRFIZ34E.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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