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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFIBC40GLCPBF
IRFIBC40GLCPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFIBC40GLCPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFIBC40GLCPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFIBC40GLCPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
Power MOSFET.pdf
État RoHS
En stock: 16170

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFIBC40GLCPBF
Vishay Siliconix - IRFIBC40GLCPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFIBC40GLCPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFIBC40  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFIBC40GLCPBF

Attributs du produit IRFIBC40GLCPBF IRFIBF30G IRFIB8N50KPBF IRFIBE20GPBF
Modèle de produit IRFIBC40GLCPBF IRFIBF30G IRFIB8N50KPBF IRFIBE20GPBF
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V 2160 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Tc) 1.9A (Tc) 6.7A (Tc) 1.4A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) 35W (Tc) 45W (Tc) 30W (Tc)
Séries - - - -
Numéro de produit de base IRFIBC40 IRFIBF30 IRFIB8 IRFIBE20
Tension drain-source (Vdss) 600 V 900 V 500 V 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.1A, 10V 3.7Ohm @ 1.1A, 10V 350mOhm @ 4A, 10V 6.5Ohm @ 840mA, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique IRFIBC40GLCPBF PDF

Téléchargez IRFIBC40GLCPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFIBC40GLCPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Feuilles de données
Power MOSFET.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay Siliconix
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