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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFI540GPBF
IRFI540GPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFI540GPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFI540GPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFI540GPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRFI540G.pdf
État RoHS
En stock: 30907

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFI540GPBF
Vishay Siliconix - IRFI540GPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFI540GPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFI540  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFI540GPBF

Attributs du produit IRFI540GPBF IRFI624G IRFI620G IRFI530N
Modèle de produit IRFI540GPBF IRFI624G IRFI620G IRFI530N
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 10A, 10V 1.1Ohm @ 2A, 10V 800mOhm @ 2.5A, 10V 110mOhm @ 6.6A, 10V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries - - - HEXFET®
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 PG-TO220-FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Tc) 3.4A (Tc) 4.1A (Tc) 12A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Numéro de produit de base IRFI540 IRFI624 IRFI620 -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 250 V 200 V 100 V
Dissipation de puissance (max) 48W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc) 41W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V

Fiche technique IRFI540GPBF PDF

Téléchargez IRFI540GPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFI540GPBF - Vishay Siliconix.

Conception / spécification PCN
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Devices 18/Jul/2017.pdf
Feuilles de données
IRFI540G.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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