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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFI624G
IRFI624G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFI624G - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRFI624G
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRFI624G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 250V 3.4A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Fiche technique
IRFI624G,SiHFI624G.pdf
En stock: 5000

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFI624G
Vishay Siliconix - IRFI624G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRFI624G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 250 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFI624  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRFI624G

Attributs du produit IRFI624G IRFI624GPBF IRFI540G IRFI630G
Modèle de produit IRFI624G IRFI624GPBF IRFI540G IRFI630G
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension drain-source (Vdss) 250 V 250 V 100 V 200 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max) 30W (Tc) 30W (Tc) 48W (Tc) 35W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 2A, 10V 1.1Ohm @ 2A, 10V 77mOhm @ 10A, 10V 400mOhm @ 3.5A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.4A (Tc) 3.4A (Tc) 17A (Tc) 5.9A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Numéro de produit de base IRFI624 IRFI624 IRFI540 IRFI630
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique IRFI624G PDF

Téléchargez IRFI624G PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRFI624G - Vishay Siliconix.

Feuilles de données
IRFI624G,SiHFI624G.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRFI624G

Vishay Siliconix
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