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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRFI530NPBF
IRFI530NPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRFI530NPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRFI530NPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRFI530NPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
IRFI530NPBF.pdf
État RoHS
En stock: 49360

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRFI530NPBF
Infineon Technologies - IRFI530NPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRFI530NPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 6.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 41W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base IRFI530  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRFI530NPBF

Attributs du produit IRFI530NPBF IRFI540NPBF IRFI620G IRFI520G
Modèle de produit IRFI530NPBF IRFI540NPBF IRFI620G IRFI520G
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 20A (Tc) 4.1A (Tc) 7.2A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 360 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 6.6A, 10V 52mOhm @ 11A, 10V 800mOhm @ 2.5A, 10V 270mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package composant fournisseur TO-220AB Full-Pak TO-220AB Full-Pak TO-220-3 TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 200 V 100 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dissipation de puissance (max) 41W (Tc) 54W (Tc) 30W (Tc) 37W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V
Numéro de produit de base IRFI530 IRFI540 IRFI620 IRFI520
Séries HEXFET® HEXFET® - -

Fiche technique IRFI530NPBF PDF

Téléchargez IRFI530NPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRFI530NPBF - Infineon Technologies.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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