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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF9510STRLPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF9510STRLPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF9510STRLPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9510STRLPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF9510S, SiHF9510S.pdf
État RoHS
En stock: 26894

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF9510STRLPBF
Vishay Siliconix - IRF9510STRLPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF9510STRLPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF9510  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF9510STRLPBF

Attributs du produit IRF9510STRLPBF IRF9510 IRF9510STRR IRF9520
Modèle de produit IRF9510STRLPBF IRF9510 IRF9510STRR IRF9520
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V
Numéro de produit de base IRF9510 IRF9510 IRF9510 IRF9520
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc) 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 600mOhm @ 4.1A, 10V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) TO-220AB D²PAK (TO-263) TO-220AB
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Séries - - - -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 60W (Tc)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3

Fiche technique IRF9510STRLPBF PDF

Téléchargez IRF9510STRLPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRF9510STRLPBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRF9510S, SiHF9510S.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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