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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF9510PBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF9510PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF9510PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9510PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF9510PBF.pdf
État RoHS
En stock: 101840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF9510PBF
Vishay Siliconix - IRF9510PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF9510PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF9510  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF9510PBF

Attributs du produit IRF9510PBF IRF9510STRLPBF IRF9510STRR IRF9510S
Modèle de produit IRF9510PBF IRF9510STRLPBF IRF9510STRR IRF9510S
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Numéro de produit de base IRF9510 IRF9510 IRF9510 IRF9510
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur TO-220AB D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V
Séries - - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V

Fiche technique IRF9510PBF PDF

Téléchargez IRF9510PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRF9510PBF - Vishay Siliconix.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf
Feuilles de données
IRF9510PBF.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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