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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF9520
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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IRF9520 - Harris Corporation

Fabricant Modèle de produit
IRF9520
Fabricant
Harris Corporation
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9520
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 6A TO220AB
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF9520.pdf
Notre certification
En stock: 32940

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques IRF9520
Harris Corporation - IRF9520 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Harris Corporation - IRF9520

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Harris Corporation  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS RoHS non conforme
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée Vendor Undefined
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Harris Corporation IRF9520

Attributs du produit IRF9520 IRF9520 IRF9520NS IRF9510STRR
Modèle de produit IRF9520 IRF9520 IRF9520NS IRF9510STRR
Fabricant Harris Corporation Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB D2PAK D²PAK (TO-263)
Type de montage Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) 60W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Séries - - HEXFET® -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc) 6.8A (Tc) 6.8A (Tc) 4A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V 600mOhm @ 4.1A, 10V 480mOhm @ 4A, 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Fonction FET - - - -
Emballer Bulk Tube Tube Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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