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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF9510SPBF
IRF9510SPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF9510SPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF9510SPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF9510SPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF9510S, SiHF9510S.pdf
État RoHS
En stock: 55320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF9510SPBF
Vishay Siliconix - IRF9510SPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF9510SPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF9510  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF9510SPBF

Attributs du produit IRF9510SPBF IRF9510STRR IRF9520 IRF9510
Modèle de produit IRF9510SPBF IRF9510STRR IRF9520 IRF9510
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Harris Corporation
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V 390 pF @ 25 V 200 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V 600mOhm @ 4.1A, 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc) 4A (Tc) 6.8A (Tc) 4A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 60W (Tc) 43W (Tc)
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Numéro de produit de base IRF9510 IRF9510 IRF9520 -
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3

Fiche technique IRF9510SPBF PDF

Téléchargez IRF9510SPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRF9510SPBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRF9510S, SiHF9510S.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRF9510SPBF

Vishay Siliconix
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