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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF720STRRPBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF720STRRPBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF720STRRPBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF720STRRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
IRF720SPBF.pdf
État RoHS
En stock: 24517

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF720STRRPBF
Vishay Siliconix - IRF720STRRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF720STRRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF720  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF720STRRPBF

Attributs du produit IRF720STRRPBF IRF720PBF IRF7210TRPBF IRF7220
Modèle de produit IRF720STRRPBF IRF720PBF IRF7210TRPBF IRF7220
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 212 nC @ 5 V 125 nC @ 5 V
Fonction FET - - - -
Séries - - HEXFET® HEXFET®
Numéro de produit de base IRF720 IRF720 - -
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±12V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) TO-220AB 8-SO 8-SO
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 50W (Tc) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 400 V 400 V 12 V 14 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V 17179 pF @ 10 V 8075 pF @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Tc) 3.3A (Tc) 16A (Ta) 11A (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2A, 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V 7mOhm @ 16A, 4.5V 12mOhm @ 11A, 4.5V
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 600mV @ 500µA (Min) 600mV @ 250µA (Min)

Fiche technique IRF720STRRPBF PDF

Téléchargez IRF720STRRPBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRF720STRRPBF - Vishay Siliconix.

Assemblage / origine PCN
Additional Assembly Site 21/Oct/2016.pdf
Feuilles de données
IRF720SPBF.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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