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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7210TRPBF
IRF7210TRPBF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7210TRPBF - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7210TRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7210TRPBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7210PbF.pdf
En stock: 4830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7210TRPBF
Infineon Technologies - IRF7210TRPBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7210TRPBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 500µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 16A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 17179 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 212 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7210TRPBF

Attributs du produit IRF7210TRPBF IRF7220 IRF720PBF IRF7233
Modèle de produit IRF7210TRPBF IRF7220 IRF720PBF IRF7233
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies
Tension drain-source (Vdss) 12 V 14 V 400 V 12 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±12V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 16A (Ta) 11A (Ta) 3.3A (Tc) 9.5A (Ta)
Fonction FET - - - -
Séries HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 50W (Tc) 2.5W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO TO-220AB 8-SO
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 10V 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 16A, 4.5V 12mOhm @ 11A, 4.5V 1.8Ohm @ 2A, 10V 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 500µA (Min) 600mV @ 250µA (Min) 4V @ 250µA 600mV @ 250µA (Min)
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 212 nC @ 5 V 125 nC @ 5 V 20 nC @ 10 V 74 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 17179 pF @ 10 V 8075 pF @ 10 V 410 pF @ 25 V 6000 pF @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Fiche technique IRF7210TRPBF PDF

Téléchargez IRF7210TRPBF PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7210TRPBF - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 14/Dec/2012.pdf
Feuilles de données
IRF7210PbF.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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