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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF720PBF
Vishay Siliconix
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF720PBF - Vishay Siliconix

Fabricant Modèle de produit
IRF720PBF
Fabricant
Vishay / Siliconix
Allelco Modèle de produit
32D-IRF720PBF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
IRF720.pdf
État RoHS
En stock: 83520

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF720PBF
Vishay Siliconix - IRF720PBF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay Siliconix - IRF720PBF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 400 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Tc)  
Numéro de produit de base IRF720  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay Siliconix IRF720PBF

Attributs du produit IRF720PBF IRF720S IRF720STRRPBF IRF7207
Modèle de produit IRF720PBF IRF720S IRF720STRRPBF IRF7207
Fabricant Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Numéro de produit de base IRF720 IRF720 IRF720 -
Emballer Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 2.7V, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - HEXFET®
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8Ohm @ 2A, 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V 60mOhm @ 5.4A, 4.5V
Package / Boîte TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220AB D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) 8-SO
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V 780 pF @ 15 V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 400 V 400 V 400 V 20 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Tc) 3.3A (Tc) 3.3A (Tc) 5.4A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)

Fiche technique IRF720PBF PDF

Téléchargez IRF720PBF PDF DataSheets et Documentation Vishay Siliconix pour IRF720PBF - Vishay Siliconix.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf
Feuilles de données
IRF720.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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