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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleIRF7220
IRF7220 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

IRF7220 - Infineon Technologies

Fabricant Modèle de produit
IRF7220
Fabricant
Infineon Technologies
Allelco Modèle de produit
32D-IRF7220
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 14V 11A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
IRF7220.pdf
En stock: 4230

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques IRF7220
Infineon Technologies - IRF7220 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Infineon Technologies - IRF7220

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Infineon Technologies  
Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8075 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 14 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Infineon Technologies IRF7220

Attributs du produit IRF7220 IRF7220TRPBF IRF720S IRF720PBF
Modèle de produit IRF7220 IRF7220TRPBF IRF720S IRF720PBF
Fabricant Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V ±12V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A (Ta) 11A (Ta) 3.3A (Tc) 3.3A (Tc)
Séries HEXFET® HEXFET® - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8075 pF @ 10 V 8075 pF @ 10 V 410 pF @ 25 V 410 pF @ 25 V
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 10V 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 14 V 14 V 400 V 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 11A, 4.5V 12mOhm @ 11A, 4.5V 1.8Ohm @ 2A, 10V 1.8Ohm @ 2A, 10V
Package composant fournisseur 8-SO 8-SO D²PAK (TO-263) TO-220AB
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 50W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 125 nC @ 5 V 125 nC @ 5 V 20 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA (Min) 600mV @ 250µA (Min) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique IRF7220 PDF

Téléchargez IRF7220 PDF DataSheets et Documentation Infineon Technologies pour IRF7220 - Infineon Technologies.

Autres documents connexes
IR Part Numbering System.pdf
PCN Obsolescence / EOL
EOL122B 02/Oct/2007.pdf
Feuilles de données
IRF7220.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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