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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTS8N6LF6AG
STS8N6LF6AG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STS8N6LF6AG - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STS8N6LF6AG
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STS8N6LF6AG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
STS8N6LF6AG.pdf
État RoHS
En stock: 53470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STS8N6LF6AG
STMicroelectronics - STS8N6LF6AG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STS8N6LF6AG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1340 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta)  
Numéro de produit de base STS8N6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STS8N6LF6AG

Attributs du produit STS8N6LF6AG STS9NF3LL STS9NH3LL STS9NF30L
Modèle de produit STS8N6LF6AG STS9NF3LL STS9NH3LL STS9NF30L
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Séries Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 STripFET™ II STripFET™ III STripFET™ II
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 4A, 10V 19mOhm @ 4.5A, 10V 22mOhm @ 4.5A, 10V 20mOhm @ 4.5A, 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 30 V 30 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta) 9A (Tc) 9A (Tc) 9A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 17 nC @ 5 V 10 nC @ 4.5 V 12.5 nC @ 4.5 V
Numéro de produit de base STS8N6 STS9NF STS9NH STS9NF
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±16V ±18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1340 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 857 pF @ 25 V 730 pF @ 25 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique STS8N6LF6AG PDF

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Feuilles de données
STS8N6LF6AG.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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