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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSTS8C5H30L
STS8C5H30L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STS8C5H30L - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STS8C5H30L
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STS8C5H30L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
STS8C5H30L.pdf
État RoHS
En stock: 5180

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STS8C5H30L
STMicroelectronics - STS8C5H30L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STS8C5H30L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries STripFET™ III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 4A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 857pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A, 5.4A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base STS8C5  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STS8C5H30L

Attributs du produit STS8C5H30L STS8DN6LF6AG STS8DNH3LL STS8DN3LLH5
Modèle de produit STS8C5H30L STS8DN6LF6AG STS8DNH3LL STS8DN3LLH5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Configuration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SO 8-SOIC 8-SOIC
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 4A, 10V 24mOhm @ 4A, 10V 22mOhm @ 4A, 10V 19mOhm @ 5A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V 60V 30V 30V
Séries STripFET™ III Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 STripFET™ III STripFET™ V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Puissance - Max 2W 3.2W 2W 2.7W
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V 27nC @ 10V 10nC @ 4.5V 5.4nC @ 4.5V
Numéro de produit de base STS8C5 STS8DN6 STS8DN STS8DN3
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A, 5.4A 8A (Ta) 8A 10A
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 857pF @ 25V 1340pF @ 25V 857pF @ 25V 724pF @ 25V

Fiche technique STS8C5H30L PDF

Téléchargez STS8C5H30L PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STS8C5H30L - STMicroelectronics.

Emballage PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STS8C5H30L

STMicroelectronics
32D-STS8C5H30L

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