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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSTS8DNH3LL
STS8DNH3LL Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STS8DNH3LL - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STS8DNH3LL
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STS8DNH3LL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
STS8DNH3LL.pdf
État RoHS
En stock: 4830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STS8DNH3LL
STMicroelectronics - STS8DNH3LL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STS8DNH3LL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries STripFET™ III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 4A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 857pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base STS8DN  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STS8DNH3LL

Attributs du produit STS8DNH3LL STS8DN6LF6AG STS8DN3LLH5 STS9D8NH3LL
Modèle de produit STS8DNH3LL STS8DN6LF6AG STS8DN3LLH5 STS9D8NH3LL
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SO 8-SOIC 8-SOIC
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V 27nC @ 10V 5.4nC @ 4.5V 10nC @ 4.5V
Numéro de produit de base STS8DN STS8DN6 STS8DN3 STS9D8
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension drain-source (Vdss) 30V 60V 30V 30V
Puissance - Max 2W 3.2W 2.7W 2W
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 857pF @ 25V 1340pF @ 25V 724pF @ 25V 857pF @ 25V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A 8A (Ta) 10A 8A, 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 4A, 10V 24mOhm @ 4A, 10V 19mOhm @ 5A, 10V 22mOhm @ 4A, 10V
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries STripFET™ III Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 STripFET™ V STripFET™

Fiche technique STS8DNH3LL PDF

Téléchargez STS8DNH3LL PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STS8DNH3LL - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STS8DNH3LL.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STS8DNH3LL

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