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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSTS8DN3LLH5
STS8DN3LLH5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STS8DN3LLH5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STS8DN3LLH5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STS8DN3LLH5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
STS8DN3LLH5.pdf
État RoHS
En stock: 44820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STS8DN3LLH5
STMicroelectronics - STS8DN3LLH5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STS8DN3LLH5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOIC  
Séries STripFET™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 5A, 10V  
Puissance - Max 2.7W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 724pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base STS8DN3  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STS8DN3LLH5

Attributs du produit STS8DN3LLH5 STS8DNF3LL STS9D8NH3LL STS8C5H30L
Modèle de produit STS8DN3LLH5 STS8DNF3LL STS9D8NH3LL STS8C5H30L
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Package composant fournisseur 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base STS8DN3 STS8DNF3 STS9D8 STS8C5
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 5A, 10V 20mOhm @ 4A, 10V 22mOhm @ 4A, 10V 22mOhm @ 4A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A 8A 8A, 9A 8A, 5.4A
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Puissance - Max 2.7W 1.6W 2W 2W
Séries STripFET™ V STripFET™ II STripFET™ STripFET™ III
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 724pF @ 25V 800pF @ 25V 857pF @ 25V 857pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 4.5V 17nC @ 5V 10nC @ 4.5V 10nC @ 5V
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique STS8DN3LLH5 PDF

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Feuilles de données
STS8DN3LLH5.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STMicroelectronics
32D-STS8DN3LLH5

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