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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP9NM60N
STP9NM60N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP9NM60N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP9NM60N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP9NM60N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx9NM60N.pdf
État RoHS
En stock: 31987

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP9NM60N
STMicroelectronics - STP9NM60N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP9NM60N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 745mOhm @ 3.25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 452 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.4 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STP9NM60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP9NM60N

Attributs du produit STP9NM60N STP9NK70ZFP STP9NK80Z STP9NM50N
Modèle de produit STP9NM60N STP9NK70ZFP STP9NK80Z STP9NM50N
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tension drain-source (Vdss) 600 V 700 V 800 V 500 V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220FP TO-220 TO-220
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17.4 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Numéro de produit de base STP9NM60 STP9NK70 STP9N STP9N
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±25V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 745mOhm @ 3.25A, 10V 1.2Ohm @ 4A, 10V 1.2Ohm @ 3.75A, 10V 560mOhm @ 3.7A, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 452 pF @ 50 V 1370 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 570 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA
Séries MDmesh™ II SuperMESH™ SuperMESH™ MDmesh™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 35W (Tc) 150W (Tc) 70W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc) 7.5A (Tc) 7.5A (Tc) 5A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -

Fiche technique STP9NM60N PDF

Téléchargez STP9NM60N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP9NM60N - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf
Feuilles de données
STx9NM60N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP9NM60N

STMicroelectronics
32D-STP9NM60N

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