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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP9NK80Z
STP9NK80Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP9NK80Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP9NK80Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP9NK80Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 7.5A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STP9NK80Z.pdf
État RoHS
En stock: 3600

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP9NK80Z
STMicroelectronics - STP9NK80Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP9NK80Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STP9N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP9NK80Z

Attributs du produit STP9NK80Z STP9NK60ZFP STP9NM60N STP9NK60ZD
Modèle de produit STP9NK80Z STP9NK60ZFP STP9NM60N STP9NK60ZD
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Emballer Tube Tube Tube Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 800 V 600 V 600 V 600 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numéro de produit de base STP9N STP9NK60 STP9NM60 STP9N
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 452 pF @ 50 V 1110 pF @ 25 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 17.4 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220FP TO-220 TO-220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Tc) 7A (Tc) 6.5A (Tc) 7A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 30W (Tc) 70W (Tc) 125W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3.75A, 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V 745mOhm @ 3.25A, 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-220-3
Séries SuperMESH™ SuperMESH™ MDmesh™ II SuperFREDmesh™

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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