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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP9NK70Z
STP9NK70Z Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP9NK70Z - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP9NK70Z
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP9NK70Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx9NK70Z(FP,-1).pdf
État RoHS
En stock: 3730

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP9NK70Z
STMicroelectronics - STP9NK70Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP9NK70Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 115W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 700 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STP9N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP9NK70Z

Attributs du produit STP9NK70Z STP9NK80Z STP9NM50N STP9NK60Z
Modèle de produit STP9NK70Z STP9NK80Z STP9NM50N STP9NK60Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base STP9N STP9N STP9N STP9NK60
Séries SuperMESH™ SuperMESH™ MDmesh™ SuperMESH™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1370 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 570 pF @ 50 V 1110 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 700 V 800 V 500 V 600 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 4A, 10V 1.2Ohm @ 3.75A, 10V 560mOhm @ 3.7A, 10V 950mOhm @ 3.5A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Tc) 7.5A (Tc) 5A (Tc) 7A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 68 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Dissipation de puissance (max) 115W (Tc) 150W (Tc) 70W (Tc) 125W (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Fonction FET - - - -

Fiche technique STP9NK70Z PDF

Téléchargez STP9NK70Z PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP9NK70Z - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Site Closure 13/Feb/2020.pdf
Emballage PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf
Feuilles de données
STx9NK70Z(FP,-1).pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP9NK70Z

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32D-STP9NK70Z

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