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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP9NM50N
STP9NM50N Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP9NM50N - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP9NM50N
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP9NM50N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx9NM50N(-1).pdf
État RoHS
En stock: 3930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP9NM50N
STMicroelectronics - STP9NM50N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP9NM50N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 560mOhm @ 3.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)  
Numéro de produit de base STP9N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP9NM50N

Attributs du produit STP9NM50N STP9NM60N STP9NK70ZFP STP9NK90Z
Modèle de produit STP9NM50N STP9NM60N STP9NK70ZFP STP9NK90Z
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Emballer Tube Tube Tube Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 17.4 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 500 V 600 V 700 V 900 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 70W (Tc) 35W (Tc) 160W (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±30V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries MDmesh™ MDmesh™ II SuperMESH™ SuperMESH™
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc) 6.5A (Tc) 7.5A (Tc) 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 560mOhm @ 3.7A, 10V 745mOhm @ 3.25A, 10V 1.2Ohm @ 4A, 10V 1.3Ohm @ 3.6A, 10V
Numéro de produit de base STP9N STP9NM60 STP9NK70 STP9NK90
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 4.5V @ 100µA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 50 V 452 pF @ 50 V 1370 pF @ 25 V 2115 pF @ 25 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack TO-220-3
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220FP TO-220
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique STP9NM50N PDF

Téléchargez STP9NM50N PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP9NM50N - STMicroelectronics.

Feuilles de données
STx9NM50N(-1).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP9NM50N

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32D-STP9NM50N

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