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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP6N60M2
STP6N60M2 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP6N60M2 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP6N60M2
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP6N60M2
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
STx6N60M2.pdf
État RoHS
En stock: 59710

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP6N60M2
STMicroelectronics - STP6N60M2 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP6N60M2

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries MDmesh™ II Plus  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 232 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STP6N60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP6N60M2

Attributs du produit STP6N60M2 STP6N80K5 STP6N52K3 STP6N120K3
Modèle de produit STP6N60M2 STP6N80K5 STP6N52K3 STP6N120K3
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA
Vgs (Max) ±25V 30V ±30V ±30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc) 4.5A (Tc) 5A (Tc) 6A (Tc)
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 85W (Tc) 70W (Tc) 150W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries MDmesh™ II Plus SuperMESH5™ SuperMESH3™ SuperMESH3™
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.25A, 10V 1.6Ohm @ 2A, 10V 1.2Ohm @ 2.5A, 10V 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Tension drain-source (Vdss) 600 V 800 V 525 V 1200 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Numéro de produit de base STP6N60 STP6N80 STP6N STP6N
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 232 pF @ 100 V 255 pF @ 100 V 670 pF @ 50 V 1050 pF @ 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V

Fiche technique STP6N60M2 PDF

Téléchargez STP6N60M2 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP6N60M2 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf
Feuilles de données
STx6N60M2.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP6N60M2

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32D-STP6N60M2

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