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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP6N120K3
STP6N120K3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP6N120K3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP6N120K3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP6N120K3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
ST(FW,P,W)6N120K3.pdf
État RoHS
En stock: 5280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP6N120K3
STMicroelectronics - STP6N120K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP6N120K3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 2.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)  
Numéro de produit de base STP6N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP6N120K3

Attributs du produit STP6N120K3 STP65NF06 STP6N62K3 STP6N65M2
Modèle de produit STP6N120K3 STP65NF06 STP6N62K3 STP6N65M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries SuperMESH3™ STripFET™ II SuperMESH3™ MDmesh™
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±25V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4.5V @ 50µA 4V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 60 V 620 V 650 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 2.5A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V 1.35Ohm @ 2A, 10V
Numéro de produit de base STP6N STP65N STP6N62 STP6N
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc) 60W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V 9.8 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc) 60A (Tc) 5.5A (Tc) 4A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1050 pF @ 100 V 1700 pF @ 25 V 875 pF @ 50 V 226 pF @ 100 V

Fiche technique STP6N120K3 PDF

Téléchargez STP6N120K3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP6N120K3 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Emballage PCN
Traceability 06/Mar/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf
Feuilles de données
ST(FW,P,W)6N120K3.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices OBS 22/Jan/2018.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP6N120K3 Image

STP6N120K3

STMicroelectronics
32D-STP6N120K3

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