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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP6N52K3
STP6N52K3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP6N52K3 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP6N52K3
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP6N52K3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 525V 5A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
ST(B,D,F,P)6N52K3.pdf
État RoHS
En stock: 4130

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP6N52K3
STMicroelectronics - STP6N52K3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP6N52K3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 525 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc)  
Numéro de produit de base STP6N  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP6N52K3

Attributs du produit STP6N52K3 STP6N80K5 STP6N95K5 STP6N65M2
Modèle de produit STP6N52K3 STP6N80K5 STP6N95K5 STP6N65M2
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 9.8 nC @ 10 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension drain-source (Vdss) 525 V 800 V 950 V 650 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA 5V @ 100µA 4V @ 250µA
Numéro de produit de base STP6N STP6N80 STP6N95 STP6N
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 670 pF @ 50 V 255 pF @ 100 V 450 pF @ 100 V 226 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±30V 30V ±30V ±25V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Tc) 4.5A (Tc) 9A (Tc) 4A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Séries SuperMESH3™ SuperMESH5™ SuperMESH5™ MDmesh™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.5A, 10V 1.6Ohm @ 2A, 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V 1.35Ohm @ 2A, 10V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc) 85W (Tc) 90W (Tc) 60W (Tc)

Fiche technique STP6N52K3 PDF

Téléchargez STP6N52K3 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP6N52K3 - STMicroelectronics.

Assemblage / origine PCN
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdf
Feuilles de données
ST(B,D,F,P)6N52K3.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP6N52K3

STMicroelectronics
32D-STP6N52K3

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