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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSTP6N80K5
STP6N80K5 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

STP6N80K5 - STMicroelectronics

Fabricant Modèle de produit
STP6N80K5
Fabricant
STMicroelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-STP6N80K5
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
ST(B,D,I,P)6N80K5.pdf
État RoHS
En stock: 29993

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques STP6N80K5
STMicroelectronics - STP6N80K5 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à STMicroelectronics - STP6N80K5

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant STMicroelectronics  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) 30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 85W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 255 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc)  
Numéro de produit de base STP6N80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de STMicroelectronics STP6N80K5

Attributs du produit STP6N80K5 STP6N90K5 STP6N62K3 STP6N95K5
Modèle de produit STP6N80K5 STP6N90K5 STP6N62K3 STP6N95K5
Fabricant STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Numéro de produit de base STP6N80 STP6N90 STP6N62 STP6N95
Tension drain-source (Vdss) 800 V 900 V 620 V 950 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 85W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc) 90W (Tc)
Séries SuperMESH5™ MDmesh™ K5 SuperMESH3™ SuperMESH5™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 255 pF @ 100 V - 875 pF @ 50 V 450 pF @ 100 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Emballer Tube Tube Tube Tube
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Tc) 6A (Tc) 5.5A (Tc) 9A (Tc)
Vgs (Max) 30V ±30V ±30V ±30V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 5V @ 100µA 4.5V @ 50µA 5V @ 100µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V - 34 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 2A, 10V 1.1Ohm @ 3A, 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V 1.25Ohm @ 3A, 10V

Fiche technique STP6N80K5 PDF

Téléchargez STP6N80K5 PDF DataSheets et Documentation STMicroelectronics pour STP6N80K5 - STMicroelectronics.

Conception / spécification PCN
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018.pdf
Feuilles de données
ST(B,D,I,P)6N80K5.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STP6N80K5

STMicroelectronics
32D-STP6N80K5

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